11.04.03Конструирование и технология электронных средствПроектирование технических систем средствами 3D-моделированияБюджет: 9 мест0 — мин. проходной баллПлатно: -Стоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить
11.04.04Электроника и наноэлектроникаПроектирование и технология устройств интегральной наноэлектроникиБюджет: 35 мест0 — мин. проходной баллПлатно: -Стоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить
11.04.04Электроника и наноэлектроникаЭлементная база наноэлектроникиБюджет: 9 мест0 — мин. проходной баллПлатно: -Стоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить
11.04.04Электроника и наноэлектроникаПроектирование приборов и системБюджет: 35 мест0 — мин. проходной баллПлатно: -Стоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить
11.04.04Электроника и наноэлектроникаМатериалы и технологии макро- и наноэлектроникиБюджет: 17 мест0 — мин. проходной баллПлатно: -Стоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить
11.04.01РадиотехникаРадиолокационные системы дистанционного зондирования землиБюджет: 16 мест0 — мин. проходной баллПлатно: -Стоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить
11.04.03Конструирование и технология электронных средствКомплексное проектирование микросистемБюджет: 9 мест0 — мин. проходной баллПлатно: -Стоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить
11.04.03Конструирование и технология электронных средствТехнологическое оборудование для производства изделий микроэлектроники и микросистемной техникиБюджет: 10 мест0 — мин. проходной баллПлатно: -Стоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить
11.04.04Электроника и наноэлектроникаАвтоматизированное проектирование субмикронных СБИС и систем на кристаллеБюджет: -Платно: 15 мест0 — мин. проходной баллСтоимость обучения: 343 000 ₽ в годВремя обучения: 2 годаПоступить